JFETs - onsemi - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 7

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

7 / 41 Страницы，Всего 484 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
NSVJ2394SA3T1G	onsemi	JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MCH3914-8-TL-H	onsemi	JFET N-CH 50MA 3MCPH	3125	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
TL071CD	onsemi	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	21393	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
MC34081BP	onsemi	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	5221	RFQ	Bulk	Active	Подробности
MC33284DR2	onsemi	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	2052	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TL064ACD	onsemi	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	6367	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
TL072ACD	onsemi	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	8611	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
MC34184DTB	onsemi	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14TSSOP	6531	RFQ	Bulk	Active	Подробности
J113RL1	onsemi	SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET	6985	RFQ	Bulk	Active	Подробности
J111RLRP	onsemi	SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET	1893	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TL081CDR2	onsemi	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	3102	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TL082CDR2	onsemi	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	1952	RFQ	Bulk	Active	Подробности

7 / 41 Страницы，Всего 484 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.